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PJQ4528P-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ4528P-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4528PAUR22A1
Price: 1.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJQ4528PAUR22A1

Herst.- Nr.:

PJQ4528P-AU_R2_002A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

PJQ4528P-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	0.688 CHF	6.88 CHF
	0.455 CHF	45.50 CHF
	0.354 CHF	177.00 CHF
	0.294 CHF	294.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.264 CHF	1 320.00 CHF
	0.237 CHF	2 370.00 CHF
	0.236 CHF	5 900.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-3333-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	32 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	PJQ4528P
Gewicht pro Stück:	30,495 mg

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Datenblatt

PJQ4528P-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.