PJQ4403P_R2_00001 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
115 814Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs DFN3333 P-CH 30V 35A
Datenblatt
N/A

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement