PJL9480_R2_00001 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs SOP8 150V 4A N-CH
Datenblatt
N/A

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement