PJD55N04S-AU_L2_002A1 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
2 822Auf Lager
3 000erwartet ab 16.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 20 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit PJD55N04S-AU-L2-002A1
Panjit MOSFETs TO252 N-CH 40V 87A
Datenblatt
N/A