PBZTBR112B

ROHM Semiconductor
755-PBZTBR112B
PBZTBR112B

Herst.:

Beschreibung:
Zener-Dioden 1000mW, 9V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Zener-Dioden
RoHS:  
12 V
SMD/SMT
DO-214AA-2
1 W
10 uA
+ 150 C
Single
20 mA
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Höhe: 3.94 mm
Ir - Sperrstrom: 10 uA
Länge: 4.7 mm
Produkt-Typ: Zener Diodes
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Breite: 2.45 mm
Zener-Strom: 10 uA
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100030
USHTS:
8541100050
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

PBZTBR1x Zener-Dioden

ROHM Semiconductor  PBZTBR1x Zener-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1000mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die PBZTBR1x Zenerdioden werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert. Diese Zener-Dioden sind in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB) verfügbar. Die PBZTBR1x Zener-Dioden AR  werden bei der Spannungsregelung verwendet.