NXH040F120MNF1PTG

onsemi
863-XH040F120MNF1PTG
NXH040F120MNF1PTG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM

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onsemi
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
NXH040F120MNF1
Tray
Marke: onsemi
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Verpackung ab Werk: 28
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: EliteSiC
Typ: Full Bridge
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Onsemi   NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs sind Leistungsmodule, die eine Vollbrücke und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthalten. Diese MOSFETs verfügen über Thermistoren und Einpressstifte.  Die NXH0x0F120MNF1 Module haben sowohl ein zuvor aufgebrachtes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM) als auch keine zuvor aufgebrachten TIM-Optionen. Diese Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industrieleistung. Die NXH0x0F120MNF1 Module sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform. Diese Module sind mit -40°C bis 150°C im Lagertemperaturbereich und einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C verfügbar.