Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH020F120MNF1PG

Name: onsemi NXH020F120MNF1PG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020F120MNF1PG
Price: 104.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXH020F120MNF1PG

Herst.- Nr.:

NXH020F120MNF1PG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM

Datenblatt:

NXH020F120MNF1PG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXH020F120MNF1PG

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

28 Kann in 20 Tagen versandt werden

Menge eingeben:

Minimum: 28 Vielfache: 28

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 104.48	CHF 2 925.44

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Technologie:	SiC
Serie:	NXH020F120MNF1
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	28
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	Full Bridge

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH020F120MNF1PG Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs sind Leistungsmodule, die eine Vollbrücke und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthalten. Diese MOSFETs verfügen über Thermistoren und Einpressstifte. Die NXH0x0F120MNF1 Module haben sowohl ein zuvor aufgebrachtes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM) als auch keine zuvor aufgebrachten TIM-Optionen. Diese Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industrieleistung. Die NXH0x0F120MNF1 Module sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform. Diese Module sind mit -40°C bis 150°C im Lagertemperaturbereich und einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C verfügbar.