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NVH4L022N120M3S

Name: onsemi NVH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L022N120M3S
Price: 27.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L022N120M3S

Herst.- Nr.:

NVH4L022N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Datenblatt:

NVH4L022N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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	27.22 CHF	27.22 CHF
	20.03 CHF	200.30 CHF
	19.03 CHF	2 283.60 CHF
	18.59 CHF	9 480.90 CHF
1 020	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	151 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	352 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NVH4L022N120M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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Datenblatt

NVH4L022N120M3S Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

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