NVH4L016N065M3S

Name: onsemi NVH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L016N065M3S
Price: 12.77 CHF
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L016N065M3S

Herst.- Nr.:

NVH4L016N065M3S

Herst.:

onsemi

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	71 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	100 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	45 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	NVH4L016N065M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.5 ns