NVD5C454NT4G

onsemi
863-NVD5C454NT4G
NVD5C454NT4G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T6 40V DPAK EXP

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 1 993

Lagerbestand:
1 993 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
44 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.32 CHF 2.32
CHF 1.50 CHF 15.00
CHF 1.04 CHF 104.00
CHF 0.859 CHF 429.50
CHF 0.851 CHF 851.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.723 CHF 1 807.50
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
83 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
56 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 80 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 47 ns
Serie: NVD5C454N
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Gewicht pro Stück: 360 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NVD5C Leistungs-MOSFETs

Die NVD5C Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten robuste Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVD5C Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-N-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten, oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
Mehr erfahren

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.