Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMT061N60S5H

Name: onsemi NTMT061N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT061N60S5H
Price: 5.29 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMT061N60S5H

Herst.- Nr.:

NTMT061N60S5H

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF5 600V FAST 61MOHM FOR

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMT061N60S5H Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMT061N60S5H

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 3 000

erwartet ab 12.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 21

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5.29 CHF	5.29 CHF
	3.77 CHF	37.70 CHF
	3.27 CHF	327.00 CHF
	3.19 CHF	1 595.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3.19 CHF	9 570.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDFN-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	61 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	73.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	2.62 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.64 ns
Serie:	NTMT061N60S5H
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	76.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21.6 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMT061N60S5H Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET®-V-MOSFETs

Die SuperFET^® -V-MOSFETs von onsemi sind Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFETs der 5. Generation. Diese Bauteile liefern eine erstklassige Gütezahl (FoMs) (R_DS(ON)· Q_G und R_DS(ON)· E_OSS) zur Verbesserung des Wirkungsgrads nicht nur bei schwerer Last sondern auch bei geringer Last. Die 600-V-SuperFET-V-MOSFETs bieten Designvorteile durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste und unterstützen gleichzeitig extreme MOSFET-dV_DS/dt-Werte bei 120 V/ns. Die schnelle SuperFET-V-MOSFET-Baureihe trägt zur Maximierung des Systemwirkungsgrads und der Leistungsdichte bei. Die SuperFET-V-MOSFET-Easy Drive-Baureihe kombiniert eine hervorragende Schaltleistung ohne die Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien zu beeinträchtigen. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikation, Cloud-System und Industrie.