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NTMFS5H409NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H409NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H409NLT1G
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS5H409NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS5H409NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V LOW COSS

Datenblatt:

NTMFS5H409NLT1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.67	CHF 1.67
	CHF 1.15	CHF 11.50
	CHF 0.98	CHF 98.00
	CHF 0.951	CHF 475.50
	CHF 0.923	CHF 923.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.923	CHF 1 384.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

NTMFS5H409NLT3G

Verpackung:

Reel, Cut Tape

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.71

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	270 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	89 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	140 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	300 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	130 ns
Serie:	NTMFS5H
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

NTMFS5H409NLT1G Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5 Leistungs-MOSFETs

onsemi NTMFS5 Leistungs-MOSFETs sind 40V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit einem SO-8FL-Logikpegel. Der niedrige ON-Widerstand des NTMFS5 reduziert Leitungsverluste. Die niedrige Gate-Ladung und Kapazität des MOSFETs verringern die Treiberverluste. Die NTMFS5 Leistungs-MOSFETs sind mit einer kompakten Grundfläche von 5 x 6 mm erhältlich und eignen sich ideal für Netcom, Telekommunikation, Server, AC-Adapter und kleine Hand-Elektrowerkzeuge.
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Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.