Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS0D4N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D4N04XMT1G
Price: 3.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D4N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS0D4N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS0D4N04XMT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS0D4N04XMT1G

Auf Lager: 1 955

Lagerbestand:: 1 955

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 500

erwartet ab 02.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 25

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.09	CHF 3.09
	CHF 2.02	CHF 20.20
	CHF 1.58	CHF 158.00
	CHF 1.32	CHF 660.00
	CHF 1.13	CHF 1 130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.07	CHF 1 605.00
	CHF 1.06	CHF 9 540.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	509 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	420 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	133 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	197 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	286 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.1 mm
Serie:	NTMFS0D4N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	49.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	34.5 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS0D4N04XMT1G Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40-V-Leistungs-MOSFETs

onsemi 40-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Standard-Gate-Pegeltechnologie und einen erstklassigen On-Widerstand. Die MOSFETs von onsemi sind für Motortreiber-Applikationen ausgelegt. Die Bauteile reduzieren Leitungs- und Antriebsverluste wirksam mit niedrigem On-Widerstand und reduzierter Gate-Ladung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs eine ausgezeichnete Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Body-Dioden, wodurch die Belastung der Spannungsspitzen wirksam reduziert wird, ohne dass eine zusätzliche Snubber-Schaltung in Applikationen erforderlich ist.

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.