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NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 16.46 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L022N120M3S

Herst.- Nr.:

NTH4L022N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Datenblatt:

NTH4L022N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	151 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	352 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NTH4L022N120M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

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Datenblatt

NTH4L022N120M3S Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTH4L Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs

Die Siliziumcarbid(SiC)-MOSFETs NTH4L von onsemi sind eine Produktfamilie von 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs. Die MOSFETs zeichnen sich durch extrem niedrige Gate-Ladungen und geringe Schaltverluste aus. Einige MOSFET-Modelle bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringen Kapazitätswerten. Die Baureihe NTH4L ist 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die SiC-MOSFETs NTH4L von onsemi sind ideal für verschiedene Stromversorgungsanwendungen, darunter Solarumrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Energiespeichersysteme und Schaltnetzteile (SNT).

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).

M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativem Gate-Spannungsantrieb und Ausschaltspitzen auf dem Gate. Die M3S 1.200-V-MOSFETs von onsemi bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der M3S bietet geringe Schaltverluste und ist in einem TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität untergebracht.