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NTD5C632NLT4G

Name: onsemi NTD5C632NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD5C632NLT4G
Price: 1.68 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-NTD5C632NLT4G

Herst.- Nr.:

NTD5C632NLT4G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL DPAK

Datenblatt:

NTD5C632NLT4G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.68 CHF	1.68 CHF
	1.07 CHF	10.70 CHF
	0.724 CHF	72.40 CHF
	0.576 CHF	288.00 CHF
	0.535 CHF	535.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.509 CHF	1 272.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	155 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	78 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	VN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTD5C632NL
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTD5C632NLT4G Datenblatt

PCN

Product Change Notification_2024_12_18 (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTD5Cx Leistungs-MOSFETs

onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten sowie niedrigem Q_G und einer Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 40 V und 60 V. Diese NTD5Cx Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebs- und Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Diese NTD5Cx MOSFETs sind bleifreie, halogen-/BFR-freie und RoHS-konforme Bauteile.