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NTBL075N065SC1

Name: onsemi NTBL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL075N065SC1
Price: 5.98 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBL075N065SC1

Herst.- Nr.:

NTBL075N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTBL075N065SC1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 3.84	CHF 384.00
	CHF 3.56	CHF 1 780.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 3.02	CHF 6 040.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	37 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	59 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 170 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	NTBL075N065SC1
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

NTBL075N065SC1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs

Onsemi EliteSiC (Siliziumkarbid) 650-V-MOSFETs verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich umfassen die Vorteile des Systems den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Das TOLL-Gehäuse von onsemi bietet dank der Kelvin-Quellenkonfiguration und einer niedrigeren parasitären Quelleninduktivität eine verbesserte thermische Leistungsfähigkeit und eine ausgezeichnete Schaltleistung. TOLL bietet eine Feuchteempfindlichkeit von Stufe 1 (MSL 1).