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NSVMUN5213DW1T3G

Name: onsemi NSVMUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5213DW1T3G
Price: 0.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVMUN5213DW1T3G

Herst.- Nr.:

NSVMUN5213DW1T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR NPN 50V

Datenblatt:

NSVMUN5213DW1T3G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.219	CHF 0.22
	CHF 0.134	CHF 1.34
	CHF 0.084	CHF 8.40
	CHF 0.061	CHF 30.50
	CHF 0.049	CHF 49.00
	CHF 0.042	CHF 210.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.034	CHF 340.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Dual
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	47 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Pd - Verlustleistung:	250 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 150 C
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6.200 mg

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Datenblatt

NSVMUN5213DW1T3G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.