NSS12100UW3TCG Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
Datenblatt
2 800Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WDFN3 PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 400 mV 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS12100UW3TCG
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT N/A
Si PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C