MUN5213DW1T3G

onsemi
863-MUN5213DW1T3G
MUN5213DW1T3G

Herst.:

Beschreibung:
Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 9 139

Lagerbestand:
9 139 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
29 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.194 CHF 0.19
CHF 0.12 CHF 1.20
CHF 0.075 CHF 7.50
CHF 0.055 CHF 27.50
CHF 0.043 CHF 43.00
CHF 0.038 CHF 190.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
CHF 0.03 CHF 300.00
CHF 0.027 CHF 540.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 0.19
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: Digitaltransistoren
RoHS:  
NPN
47 kOhms
1
SMD/SMT
SOT-363-6
80
50 V
187 mW, 256 mW
MUN5213DW1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Produkt-Typ: Digital Transistors
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.