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MSCSM120HM16CTBL3NG

Name: Microchip MSCSM120HM16CTBL3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120HM16CTBL3NG
Price: 368.76 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-SM120HM16CTBL3NG

Herst.- Nr.:

MSCSM120HM16CTBL3NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3

Datenblatt:

MSCSM120HM16CTBL3NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Full Bridge
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Pd - Verlustleistung:	560 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule sind Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die über ein Si₃N₄-Substrat mit dicker Kupferschicht für eine verbesserte thermische Leistung verfügen. Diese Module bieten ein niedriges Profil, eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse), einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung und einen erweiterten Temperaturbereich. Die MSCSM120x Module werden bei einer Sperrspannung (V_R) von 1,2 kV, einem Gate-Quellenspannungsbereich (V_GS) von -10 V bis 25 V, einer Verlustleistung (P_D) von 310 W/560 W und einem Dauersenkenstrom (I_D) von 79 A/150 A betrieben. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Motorsteuerung und AC-Schalter verwendet.