MSCSM120HM16CTBL3NG

Microchip Technology
579-SM120HM16CTBL3NG
MSCSM120HM16CTBL3NG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3

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Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Full Bridge
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 25 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 150 A
Pd - Verlustleistung: 560 W
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 16 mOhms
Anstiegszeit: 30 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 1.8 V
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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99