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MSCSM120DUM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120DUM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DUM31CTBL1NG
Price: 100.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-M120DUM31CTBL1NG

Herst.- Nr.:

MSCSM120DUM31CTBL1NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Datenblatt:

MSCSM120DUM31CTBL1NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Dual Common Source
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Pd - Verlustleistung:	310 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	31 mOhms
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V

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ECCN:: EAR99

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