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MSCGLQ75H120CTBL3NG

Name: Microchip MSCGLQ75H120CTBL3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-Q75H120CTBL3NG
Price: 193.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-Q75H120CTBL3NG

Herst.- Nr.:

MSCGLQ75H120CTBL3NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

IGBT-Module PM-IGBT-SBD-BL3

Datenblatt:

MSCGLQ75H120CTBL3NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Full Bridge
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.4 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	160 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	150 nA
Pd - Verlustleistung:	470 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Hochgeschwindigkeits-IGBT4-Leistungsmodule

Microchip Technology Hochgeschwindigkeits-IGBT4-Leistungsmodule verfügen über einen niedrigen Spannungsabfall, einen niedrigen Ableitstrom und geringe Schaltverluste. Diese Module arbeiten bei einer Kollektor-Emitterspannung (V_CES) von 1.200 V und bieten eine sehr niedrige Streuinduktivität, einen Kelvin-Emitter/eine Kelvin-Quelle für einen einfachen Antrieb und einen erweiterten Temperaturbereich. Die Vorteile der IGBT4-Module sind, dass es sich um Wandler mit hohem Wirkungsgrad handelt, die eine hervorragende Leistung bei einem Hochfrequenzbetrieb, ein niedriges Profil und einen thermischen Sperrschicht-zu-Kühlkörper-Widerstand bieten. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC-Schalter, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad und Motorsteuerung verwendet.