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MR4A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR4A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BYS35
Price: 36.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR4A08BYS35

Herst.- Nr.:

MR4A08BYS35

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

Datenblatt:

MR4A08BYS35 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	36.16 CHF	36.16 CHF
	33.43 CHF	334.30 CHF
	32.35 CHF	808.75 CHF
	31.54 CHF	1 577.00 CHF
	30.48 CHF	3 048.00 CHF
	26.59 CHF	7 179.30 CHF
540	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-44
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Speichergröße:	16 Mbit
Organisation:	2 M x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	60 mA, 152 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	MR4A08B
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Parallel I/O (x8)
Gewicht pro Stück:	12,083 g

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PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.