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MR0A16ACMA35

Name: Everspin Technologies MR0A16ACMA35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A16ACMA35
Price: 15.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR0A16ACMA35

Herst.- Nr.:

MR0A16ACMA35

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM

Datenblatt:

MR0A16ACMA35 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 14.21	CHF 142.10
	CHF 13.76	CHF 344.00
	CHF 13.42	CHF 671.00
	CHF 13.09	CHF 1 309.00
	CHF 11.43	CHF 2 857.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
REACH - SVHC:
Verpackung/Gehäuse:	BGA-48
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Speichergröße:	1 Mbit
Organisation:	64 k x 16
Datenbus-Weite:	16 bit
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	55 mA, 105 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	MR0A16A
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	348
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Parallel I/O (x16)
Gewicht pro Stück:	5.465 g

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PCN

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CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.