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MR0A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BYS35
Price: 15.94 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

936-MR0A08BYS35

Herst.- Nr.:

MR0A08BYS35

Herst.:

Everspin Technologies

Beschreibung:

MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Datenblatt:

MR0A08BYS35 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	15.94 CHF	15.94 CHF
	14.77 CHF	147.70 CHF
	14.31 CHF	357.75 CHF
	13.96 CHF	698.00 CHF
	13.47 CHF	1 347.00 CHF
	13.13 CHF	3 545.10 CHF
	12.04 CHF	6 501.60 CHF
1 080	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Everspin Technologies
Produktkategorie:	MRAM
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-44
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Speichergröße:	1 Mbit
Organisation:	128 k x 8
Datenbus-Weite:	8 bit
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	25 mA, 55 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	MR0A08B
Verpackung:	Tray
Marke:	Everspin Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Pd - Verlustleistung:	600 mW
Produkt-Typ:	MRAM
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	Parallel I/O (x8)
Gewicht pro Stück:	11,146 g

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PCN

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.