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MJD31CHQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD31CHQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD31CHQ-13
Price: 0.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-MJD31CHQ-13

Herst.- Nr.:

MJD31CHQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Datenblatt:

MJD31CHQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.408	CHF 4.08
	CHF 0.265	CHF 26.50
	CHF 0.203	CHF 101.50
	CHF 0.183	CHF 183.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.159	CHF 397.50
	CHF 0.139	CHF 695.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	100 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.2 V
Pd - Verlustleistung:	2.6 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	3 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	10 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors

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PCN

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren

Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. sind bipolare Transistoren, die AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig sind und in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt werden. Jedes Bauelement verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung von 50 V oder 100 V (Minimum). Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. verfügen über ein TO 252-Gehäuse (DPAK) und sind ideal für Leistungsschalt- oder Verstärkungsanwendungen.