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MASTERGAN1LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1LTR
Price: 5.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN1LTR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN1LTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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Datenblatt:

MASTERGAN1LTR Datenblatt (PDF)

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	CHF 5.78	CHF 5.78
	CHF 4.47	CHF 44.70
	CHF 4.14	CHF 103.50
	CHF 3.78	CHF 378.00
	CHF 3.60	CHF 900.00
	CHF 3.49	CHF 1 745.00
	CHF 3.41	CHF 3 410.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 3.30	CHF 9 900.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Ausgänge:	4 Output
Ausgangsstrom:	17 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	45 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	45 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	10 A
Pd - Verlustleistung:	40 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	70 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	330 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.