MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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CHF 7.14 CHF 7.14
CHF 5.35 CHF 53.50
CHF 5.11 CHF 127.75
CHF 4.43 CHF 443.00
CHF 4.23 CHF 1 057.50
CHF 3.85 CHF 1 925.00
CHF 3.45 CHF 3 450.00

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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marke: STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Pd - Verlustleistung: 40 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 70 ns
Verpackung ab Werk: 1560
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen RDS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.