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MAPC-A3005-AS000

Name: MACOM MAPC-A3005-AS000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-AS000
Price: 170.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-MAPC-A3005-AS000

Herst.- Nr.:

MAPC-A3005-AS000

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MAPC-A3005-AS000 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	440109-2
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	84 V
Id - Drain-Gleichstrom:	750 mA
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	14 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	8 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	DC
Ausgangsleistung:	39.2 dBm
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Typ:	GaN on SiC Transistor

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Datenblatt

MAPC-A3005-AS000 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.