KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 8.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

473-M4G4B826BGCEAT

Herst.- Nr.:

KTDM4G4B826BGCEAT

Herst.:

SMARTsemi

Beschreibung:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

Datenblatt:

KTDM4G4B826BGCEAT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu SMARTsemi KTDM4G4B826BGCEAT

Auf Lager: 178

Lagerbestand:: 178 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8.68 CHF	8.68 CHF
	8.40 CHF	84.00 CHF
	7.19 CHF	1 509.90 CHF
	7.01 CHF	2 944.20 CHF
	6.82 CHF	7 161.00 CHF
2 520	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SMART
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR4
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	1.333 GHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.26 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Verpackung:	Tray
Marke:	SMARTsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	210
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

KTDM4G4B826BGCEAT Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).