KTDM4G3C818BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGIEAT
Price: 9.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

473-M4G3C818BGIEAT

Herst.- Nr.:

KTDM4G3C818BGIEAT

Herst.:

SMARTsemi

Beschreibung:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

Datenblatt:

KTDM4G3C818BGIEAT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SMART
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	933 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	1.283 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.575 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Verpackung:	Tray
Marke:	SMARTsemi
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	210
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.