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IXSA65N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA65N120L2-7TR
Price: 9.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSA65N120L2-7TR

Herst.- Nr.:

IXSA65N120L2-7TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSA65N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Erw. Preis:

-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	9.32 CHF	9.32 CHF
	6.75 CHF	67.50 CHF
	5.62 CHF	562.00 CHF
	4.67 CHF	2 335.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	4.67 CHF	3 736.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	110 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	417 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	19.6 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns