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IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Name: ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VQ16M4DBLL200BLI
Price: 3.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-VQ16M4DBLL200BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Lebenszyklus:

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	64 Mbit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-24
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.