IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 3.85 CHF
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-66E2M16EBLL70BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datenblatt:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

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Preis:

CHF 3.73

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Zugangszeit:	70 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-48
Marke:	ISSI
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WVE2M16EBLL
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous
Gewicht pro Stück:	86 mg

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Datenblatt

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USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
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MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.