IS66WVE2M16EALL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EALL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-E2M16EALL70BLI
Price: 5.24 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-E2M16EALL70BLI

Herst.- Nr.:

IS66WVE2M16EALL-70BLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datenblatt:

IS66WVE2M16EALL-70BLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Zugangszeit:	70 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	IS66WVE2M16EALL
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.