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IRL540NSTRLPBF

Name: Infineon IRL540NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRL540NSTRLPBF
Price: 1.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRL540NSTRLPBF

Herst.- Nr.:

IRL540NSTRLPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl

Datenblatt:

IRL540NSTRLPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.75	CHF 1.75
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.90	CHF 90.00
	CHF 0.883	CHF 441.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 0.645	CHF 516.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-262-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	63 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	49.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs

Die IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen modernste Verarbeitungstechnologien, um einen extrem geringen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil zusammen mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign und der Sperrschichtbetriebstemperaturen von 175°, für die die HEXFET® Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Konstrukteur ein hochwirksames und verlässliches Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
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