Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH84NE2LM7UCGA
Price: 2.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IQEH84NE2LM7UCGA

Herst.- Nr.:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Auf Lager: 4 472

Lagerbestand:: 4 472 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.04 CHF	2.04 CHF
	1.32 CHF	13.20 CHF
	0.896 CHF	89.60 CHF
	0.716 CHF	358.00 CHF
	0.657 CHF	657.00 CHF
	0.647 CHF	1 617.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.614 CHF	3 070.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	275 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	840 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	107 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	2.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Artikel # Aliases:	IQEH84NE2LM7UCG SP005960138

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25 V Leistungs-MOSFETs liefern anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten und ermöglichen Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server, KI und mehr. Die MOSFETs sind in hart- und weichschaltenden Topologien erhältlich. Die für Hard-Switching optimierten Bauteile zeichnen sich durch hervorragende Miller-Verhältnisse, FOMs und RDS_(on)aus. Die für Soft-Switching optimierten MOSFETs bieten einen extrem niedrigen RDS_(on)-Wert und FOMQg.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind für hart- und weichschaltende Topologien sowie für FOMoss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.