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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH46NE2LM7ZCGS
Price: 2.79 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Herst.- Nr.:

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

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	1.27 CHF	127.00 CHF
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	1.04 CHF	1 040.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 6000)
	0.95 CHF	5 700.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	430 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	480 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	5.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	6000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.9 ns
Artikel # Aliases:	IQEH46NE2LM7ZCGSC SP006008736

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Datenblatt

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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