IPP339N20NM6AKSA1

Infineon Technologies
726-IPP339N20NM6AKSA
IPP339N20NM6AKSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs IFX FET >150 - 400V

ECAD Model:
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0.848 CHF 848.00 CHF
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
39 A
33.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
15.9 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 6.9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14 ns
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Artikel # Aliases: IPP339N20NM6 SP006015640
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Malaysia
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OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

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OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.