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IPB175N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB175N20NM6ATMA
Price: 3.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB175N20NM6ATMA

Herst.- Nr.:

IPB175N20NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPB175N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 1.38	CHF 138.00
	CHF 1.22	CHF 610.00
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	CHF 1.05	CHF 1 050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	61 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	31 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	203 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	OptiMOS 6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	IPB175N20NM6 SP006070078

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x R_DS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) und einen niedrigen On‑Widerstand R_DS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.