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IMBG65R022M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R022M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R022M1HXTM
Price: 13.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG65R022M1HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG65R022M1HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IMBG65R022M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	13.44 CHF	13.44 CHF
	9.50 CHF	95.00 CHF
	8.13 CHF	813.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	7.59 CHF	7 590.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Herst.- Nr.:

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Beschreibung:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.7 V
Qg - Gate-Ladung:	67 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Artikel # Aliases:	IMBG65R022M1H SP005539143