IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW40N120CH7XKSA
IKW40N120CH7XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

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Infineon
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
- 20 V, 20 V
IGBT7 H7
Tube
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: TRENCHSTOP
Artikel # Aliases: IKW40N120CH7 SP005551390
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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