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IKW30N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW30N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW30N65ET7XKSA1
Price: 3.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW30N65ET7XKSA1

Herst.- Nr.:

IKW30N65ET7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Datenblatt:

IKW30N65ET7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	188 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW30N65ET7 SP005348289

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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