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IKQ50N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKQ50N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKQ50N120CH7XKSA
Price: 5.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKQ50N120CH7XKSA

Herst.- Nr.:

IKQ50N120CH7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package

Datenblatt:

IKQ50N120CH7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Serie:	IGBT7 H7
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKQ50N120CH7 SP005578278

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Datenblatt

IKQ50N120CH7XKSA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 diskrete Transistoren

Die diskreten Transistoren von Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 sind die 7. Generation der 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie entwickelt wurden. Diese diskreten IGBTs bieten ein hohes Maß an Steuerbarkeit, geringe Leitungsverluste, geringe Schaltverluste, verbessertes EMI Betriebsverhalten und Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen. Die diskreten H7 IGBT7 Transistoren ermöglichen die Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens. Diese Transistoren werden in Schnellladeanlagen für Elektrofahrzeuge, industriellen Heiz- und Schweißanlagen sowie in unterbrechungsfreien Stromversorgungs (UPS) Applikationen.

IGBT7 Diskrete Bauteile

Die IGBT7-Diskreten von Infineon Technologies sind die 7. Generation der TRENCHSTOP™-IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie hergestellt werden. Die fortschrittliche Technologie bietet eine unübertroffene Kontrolle und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte in den Applikationen führt.

Diskrete IGBT7-H7-TRENCHSTOP™-Transistoren von 650 V

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