IGT65R025D2ATMA1

Infineon Technologies
726-IGT65R025D2ATMA1
IGT65R025D2ATMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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10.37 CHF 10.37 CHF
7.11 CHF 71.10 CHF
6.11 CHF 611.00 CHF
5.63 CHF 2 815.00 CHF
5.14 CHF 5 140.00 CHF
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4.79 CHF 9 580.00 CHF
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Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
70 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
236 W
Enhancement
CoolGaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: MY
Land der Verbreitung: AT
Ursprungsland: AT
Abfallzeit: 9 ns
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 12 ns
Serie: 650V G5
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: CoolGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Artikel # Aliases: IGT65R025D2 SP006026239
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
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8541290065
JPHTS:
854129000
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ECCN:
EAR99