Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 3.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGLD65R110D2AUMA

Herst.- Nr.:

IGLD65R110D2AUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGLD65R110D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1

Auf Lager: 2 696

Lagerbestand:: 2 696 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.62	CHF 3.62
	CHF 2.41	CHF 24.10
	CHF 1.86	CHF 186.00
	CHF 1.65	CHF 825.00
	CHF 1.56	CHF 1 560.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.34	CHF 4 020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-LSON-8
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	2.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	51 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	GaN Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	650 V G5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	IGLD65R110D2 SP005918714

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IGLD65R110D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.