Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IGL65R140D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R140D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R140D2XUMA1
Price: 3.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGL65R140D2XUMA1

Herst.- Nr.:

IGL65R140D2XUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGL65R140D2XUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IGL65R140D2XUMA1

Auf Lager: 2 674

Lagerbestand:: 2 674 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.16 CHF	3.16 CHF
	2.07 CHF	20.70 CHF
	1.45 CHF	145.00 CHF
	1.20 CHF	600.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.01 CHF	3 030.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	1.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	47 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	23 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	CoolGaN G5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	IGL65R140D2 SP006065162

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IGL65R140D2XUMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.