IGL65R140D2XUMA1

Infineon Technologies
726-IGL65R140D2XUMA1
IGL65R140D2XUMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
13 A
170 mOhms
- 10 V
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
CoolGaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 23 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: GaN FETs
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: CoolGaN G5
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
Artikel # Aliases: IGL65R140D2 SP006065162
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.