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IGL65R055D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R055D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R055D2XUMA1
Price: 5.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGL65R055D2XUMA1

Herst.- Nr.:

IGL65R055D2XUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

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	2.80 CHF	280.00 CHF
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	2.19 CHF	6 570.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	4.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	111 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	14 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CoolGaN G5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	IGL65R055D2 SP006065169