IGI65D1414A3MSXUMA1

Infineon Technologies
726-IGI65D1414A3MSXU
IGI65D1414A3MSXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

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Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-32
N-Channel
2 Channel
650 V
170 mOhms
1.6 V
1.8 nC
- 55 C
+ 150 C
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Dual
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Artikel # Aliases: IGI65D1414A3MS SP005970004
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.