IGC037S12S1XTMA1

Infineon Technologies
726-IGC037S12S1XTMA1
IGC037S12S1XTMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 3 270

Lagerbestand:
3 270
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
5 000
erwartet ab 09.07.2026
5 000
erwartet ab 23.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
20
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
3.61 CHF 3.61 CHF
2.33 CHF 23.30 CHF
1.70 CHF 170.00 CHF
1.45 CHF 725.00 CHF
1.36 CHF 3 400.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
1.24 CHF 6 200.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
1 Channel
120 V
71 A
3.7 mOhms
6.5 V
2.9 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: MY
Land der Verbreitung: AT
Ursprungsland: AT
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: 60 V - 120 V G3
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: P-Channel
Typ: CoolGaN
Artikel # Aliases: IGC037S12S1 SP006027453
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99