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IGC037S12S1XTMA1

Name: Infineon IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC037S12S1XTMA1
Price: 3.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGC037S12S1XTMA1

Herst.- Nr.:

IGC037S12S1XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IGC037S12S1XTMA1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 2.38	CHF 23.80
	CHF 1.76	CHF 176.00
	CHF 1.57	CHF 785.00
	CHF 1.43	CHF 1 430.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 1.26	CHF 6 300.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	71 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	6.5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.9 V
Qg - Gate-Ladung:	13 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	P-Channel
Typ:	CoolGaN
Artikel # Aliases:	IGC037S12S1 SP006027453

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistoren

CoolGaN™ G3 Transistoren von Infineon Technologies sind für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand aus, was eine effiziente Leistungsumwandlung und reduzierte Energieverluste ermöglicht. Die CoolGaN G3 Transistoren von Infineon sind in vier Spannungsoptionen (60 V, 80 V, 100 V oder 120 V) erhältlich und ermöglichen ein extrem schnelles Schalten mit einer extrem niedrigen elektrischen Gate-/Ausgangsladung. Die Transistoren sind in kompakten PQFN-Gehäusen untergebracht, die das Wärmemanagement verbessern und eine beidseitige Kühlung unterstützen, was einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Eigenschaften machen die CoolGaN G3 Transistoren zur ersten Wahl für Applikationen wie Telekommunikation, Stromversorgung von Rechenzentren und industrielle Stromversorgungssysteme.